Skip to content

Kingston – DDR4 – módulo – 8 GB – SO-DIMM de 260 contactos – 2666 MHz / PC4-21300 – CL19 – 1.2 V – sin búfer – no ECC

SKU: CH515KNG95 Categoría:

Descripción

  • Fuente de alimentación: VDD = 1.2V típico
  • VDDQ = 1.2V típico
  • VPP = 2.5V típico
  • VDDSPD = 2.2V a 3.6V
  • Terminación nominal y dinámica en el troquel (ODT) para

    señales de datos, estroboscópicos y máscaras

  • Autoactualización automática de bajo consumo (LPASR)
  • Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
  • Generación y calibración de VREFDQ en la matriz
  • Rango único
  • EEPROM de detección de presencia serie (SPD) I2 integrada
  • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
  • Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8

    a través del conjunto de registros de modo (MRS)

  • BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
  • Topología de sobrevuelo
  • Comando de control terminado y bus de direcciones
  • PCB: Altura 1.18″ (30.00mm)
  • Compatible con RoHS y libre de halógenos

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

  • CL(IDD): 19 ciclos
  • Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 45.75ns (min.)
  • Tiempo de comando (tRFCmin): 350ns (min.)
  • Tiempo activo de fila (tRASmin): 32ns(min.)
  • Potencia máxima de funcionamiento: TBD W*
  • Clasificación UL : 94 V – 0
  • Temperatura de funcionamiento de:  0° C a +85° C
  • Temperatura de almacenamiento: -55°C a +100° C