Descripción
- Visión general:
- Factor de forma: M.2 2280
- Interfaz: PCI-Express 4.0 x4, NVMe 1.4
- Capacidad total: 1000 GB*
- Velocidad de lectura secuencial: hasta 7000 MB/s**
- Velocidad de escritura secuencial: hasta 5500 MB/s**
- Tecnologías de nivelación de desgaste, sobreaprovisionamiento
- Compatible con TRIM Y S.M.A.R.T
- Compatible con AES-256
- Difusor de calor de alta eficiencia con recubrimiento de nanocarbono
- Garantía: Limitada a 5 años
Especificación:
Interfaz PCI-Express 4.0 x4, NVMe 1.4 Factor de forma M.2 2280 Capacidad total 1000 GB NAND Flash 3D TLC NAND Caché DDR externa DDR4 de 1 GB Velocidad de lectura secuencial Hasta 7000 MB/s Velocidad de escritura secuencial Hasta 5500 MB/s IOPS de lectura aleatoria hasta 350k IOPS de escritura aleatoria hasta 700k Dimensión 80,5 x 11,25 x 23,5 mm Tiempo medio entre fallos (MTBF) 1,6 millones de horas Consumo de energía (activo) Promedio: R : 6.6W, W : 6.5W Consumo de energía (inactivo) <30 mW Temperatura (en funcionamiento) De 0 °C a 70 °C Temperatura (almacenamiento) De -40 °C a 85 °C Garantía 5 años de garantía
