Kingston – DDR4 – módulo – 8 GB – SO-DIMM de 260 contactos – 2666 MHz / PC4-21300 – CL19 – 1.2 V – sin búfer – no ECC

• Fuente de alimentación: VDD = 1.2V típico

• VDDQ = 1.2V típico

• VPP = 2.5V típico

• VDDSPD = 2.2V a 3.6V

• Terminación nominal y dinámica en el troquel (ODT) para

  señales de datos, estroboscópicos y máscaras

• Autoactualización automática de bajo consumo (LPASR)

• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos

• Generación y calibración de VREFDQ en la matriz

• Rango único

• EEPROM de detección de presencia serie (SPD) I2 integrada

• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno

• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8

  a través del conjunto de registros de modo (MRS)

• BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)

• Topología de sobrevuelo

• Comando de control terminado y bus de direcciones

• PCB: Altura 1.18″ (30.00mm)

• Compatible con RoHS y libre de halógenos

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

• CL(IDD): 19 ciclos

• Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 45.75ns (min.)

• Tiempo de comando (tRFCmin): 350ns (min.)

• Tiempo activo de fila (tRASmin): 32ns(min.)

• Potencia máxima de funcionamiento: TBD W*

• Clasificación UL : 94 V – 0

• Temperatura de funcionamiento de:  0° C a +85° C

• Temperatura de almacenamiento: -55°C a +100° C